（一）項目概況

建設項目名稱：甘肅金川蘭新半導體封裝新材料（蘭州）生產線建設項目（一期）

建設地點：位于甘肅省蘭州新區中川街以南，洮河街以北，鳳凰山路以東，青城山路以西。

工程建設內容及規模：本項目一期工程建設內容為分立器件引線框架沖制型230萬K/年、IC引線框架沖制型1296萬K/年、IC引線框架蝕刻型660萬K/年、5G散熱片2000萬片/年、錫陽極材料1000噸/年。

（二）建設單位的名稱和聯系方式

建設單位：甘肅金川蘭新電子科技有限公司

地址：甘肅省蘭州新區中川街以南，洮河街以北，鳳凰山路以東，青城山路以西

聯系人：孫天祥

 聯系電話：                

E-mail：

（三）環境影響報告書編制單位名稱和聯系方式

環評單位：甘肅創新環境科技有限責任公司

地址：甘肅省蘭州市城關區高新S625號路以南5號13號樓20層02、03室

 聯系人：仲工            

傳真：

聯系電話：      

E-mail：

（四）公眾意見表的網絡鏈接

公眾意見表的網絡鏈接為：

。

（五）提交公眾意見表的方式和途徑

 本信息發布之后公眾可通過信函、傳真、電子郵件、或者建設單位提供的其他方式，在規定時間內將填寫的公眾意見表等提交建設單位，反映與建設項目環境影響有關的意見和建議。

                                                                                          甘肅金川蘭新電子科技有限公司

                                                                                                     2022年7月29日